Правительство направило 54,5 миллиарда рублей на развитие микроэлектроники в России

Правительство России направило 54,5 миллиарда рублей на развитие центров по внедрению технологий в сфере микроэлектроники. Планируется, что новые центры будут открыты в Зеленограде к 2028 году и в Санкт-Петербурге к 2027 году. В Зеленограде будут функционировать два центра. Первый — «Базовый центр», получит финансирование в размере 50 миллиардов рублей. Его площадь достигнет 9 тысяч квадратных метров. Центр будет заниматься разработкой микроэлектроники и силовой электроники с использованием технологии 250–90 нанометров на пластинах диаметром 200 миллиметров. В эксплуатацию его планируют ввести в 2028 году. Второй центр, названный «Стартовым», будет базироваться в Национальном исследовательском университете «Московский институт электронной техники» (НИУ МИЭТ). На его создание выделено 4,5 миллиарда рублей. Площадь центра составит 3 тысячи квадратных метров, и он также будет заниматься разработкой силовой электроники и микроэлектроники, но на пластинах диаметром 100–150 миллиметров с топологией более 180 нанометров. Запуск центра запланирован на 2028 год. Кроме того, в Санкт-Петербурге на базе Физико-технического института имени Иоффе планируется открыть центр «СВЧ-электроники». Финансирование этого проекта не предусмотрено, однако его площадь составит 0,5 тысячи квадратных метров, и он будет работать с пластинами 100–150 миллиметров по топологии более 350 нанометров. Ввести центр в эксплуатацию планируют в 2027 году. Цель создания этих центров — довести результаты опытно-конструкторских работ по направлениям отечественного оборудования и материалов для производства микроэлектроники до уровня серийной продукции. Это позволит производителям сократить риски и сроки создания новых производств, особенно при работе с новыми технологиями.