Анализ патентов на применение углеродных нанотрубок в электронике
Краткое резюме
Мировой рынок углеродных нанотрубок достиг 6,85 миллиарда долларов в 2024 году и может вырасти до 19 миллиардов долларов к 2032 году. Патентный анализ показывает активное использование УНТ в электронике, особенно в области наноструктур и технических устройств.
Углеродные нанотрубки (УНТ) находят применение в различных устройствах благодаря их выдающимся характеристикам, таким как высокая прочность, электропроводность, долговечность, лёгкость и теплопроводность. Эти свойства делают УНТ предпочтительным выбором по сравнению с традиционными материалами. В последние годы наблюдается рост спроса на УНТ, обусловленный увеличением потребности в интегральных схемах, литиевых батареях, топливных элементах, солнечных фотоэлементах, устройствах для хранения водорода и дисплеях с полевым излучением.
**Патентный аспект**
Согласно исследованию, проведённому в августе 2025 года, мировой рынок УНТ в 2024 году достиг 6,85 миллиарда долларов. Прогнозируется, что к 2032 году этот показатель вырастет до 19 миллиардов долларов при среднегодовом темпе роста (CAGR) около 14%.
В сентябре 2025 года система Google.patents выдала более 100 тысяч патентов, связанных с использованием углеродных нанотрубок в электронике. Среди наиболее популярных категорий в международной патентной классификации выделяются:
* использование наноструктур (B82) — 62,6%;
* неметаллические элементы и их соединения (C01B) — 28,5%;
* технические устройства (Y10S) — 25,3%;
* органические электрические твердотельные устройства (H10K) — 22,6%;
* различное оборудование (Y10T) — 19,5%;
* сокращение выбросов парниковых газов (Y02E) — 18%;
* полупроводниковые приборы (H01L) — 15,2%.
Анализ патентов показывает, что наибольшее внимание уделяется использованию наноструктур, неметаллическим элементам и техническим устройствам.
Среди патентообладателей в области органических электрических твердотельных устройств (H10K) лидируют:
* Samsung Electronics Co., Ltd. — 3,2%;
* Nantero, Inc. — 1,9%;
* Tsinghua University — 1,9%;
* Hong Fujin Precision Industry — 1,8%.
Динамика патентования в этой области показывает, что пик активности пришёлся на 2004–2010 годы, после чего наблюдается снижение.
По теме полупроводниковых приборов (H01L) выявлено более 30 тысяч патентов. Лидерами по числу патентов являются:
* Fujitsu Limited — 5,7%;
* Tsinghua University — 1,6%;
* Nanosys, Inc. — 1,4%.
Эксперты «Онлайн Патент» отмечают, что, несмотря на значительные инвестиции в исследования и разработки, УНТ не оправдали широких ожиданий в области электроники и, возможно, стали нишевым компонентом нано- и микроэлектроники.
**Патенты РФ**
В базе данных Федерального института промышленной собственности (ФИПС) по состоянию на 6 сентября 2025 года обнаружено 22 патента Российской Федерации на изобретения, связанные с УНТ в электронике, за период с 2007 по 2023 год. Из них 10 патентов остаются действующими. В разделе «H» (электричество) зарегистрировано 5 патентов на изобретения, причём ни одного в категории H10K и один в категории H01L — патент №2552597 (2015) на гибкий солнечный элемент от компании «МСД Текно».